进口二极管M0334SC180中频电源设备配件价格实惠

260元2023-08-19 11:41:45
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LED封装 无色透明封装(T) 功率特性 中功率
发光颜色 正白 封装 陶瓷封装
封装形式 功率型 封装材料 陶瓷封装
材料 电压 1200
电流 600 结构 合金型
频率特性 中频  

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整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。其结构如图所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子,在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。

整流二极管选用:
1、整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中;
2、选用整流二极管时,主要应考虑其大整流电流、大反向工作电流、截止频率及反向恢复时间等参数;
3、普通串联稳压电源电路中使用的整流二极管,对截止频率的反向恢复时间要求不高,只要根据电路的要求选择大整流电流和大反向工作电流符合要求的整流二极管即可。例如,1N系列、2CZ系列、RLR系列等;
4、开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使用的整流二极管,应选用工作频率较高、反向恢复时间较短的整流二极管(例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等)或选择快恢复二极管。还有一种肖特基整流二极管。

整流二极管损坏原因:
1、防雷、过电压保护措施不力。整流装置未设置防雷、过电压保护装置,即使设置了防雷、过电压保护装置,但其工作不可靠,因雷击或过电压而损坏整流管;
2、运行条件恶劣。间接传动的发电机组,因转速之比的计算不正确或两皮带盘直径之比不符合转速之比的要求,使发电机长期处于高转速下运行,而整流管也就长期处于较高的电压下工作,促使整流管加速老化,并被过早地击穿损坏;
3、运行管理欠佳。值班运行人员工作不负责任,对外界负荷的变化(特别是在深夜零点至第二天上午6点之间)不了解,或是当外界发生了甩负荷故障,运行人员没有及时进行相应的操作处理,产生过电压而将整流管击穿损坏;
4、设备安装或制造质量不过关。由于发电机组长期处于较大的振动之中运行,使整流管也处于这一振动的外力干扰之下;同时由于发电机组转速时高时低,使整流管承受的工作电压也随之忽高忽低地变化,这样便大大地加速了整流管的老化、损坏;
5、整流管规格型号不符。更换新整流管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误,造成整流管击穿损坏;
6、整流管安全裕量偏小。整流管的过电压、过电流安全裕量偏小,使整流管承受不起发电机励磁回路中发生的过电压或过电流暂态过程峰值的而损坏。

整流二极管检查方法:
首先将整流器中的整流二极管全部拆下,用万用表的100×R或1000×R欧姆档,测量整流二极管的两根引出线(头、尾对调各测一次)。若两次测得的电阻值相差很大,例如电阻值大的高达几百KΩ到无穷大,而电阻值小的仅几百Ω甚至更小,说明该二极管是好的(发生了软击穿的二极管除外)。若两次测得的电阻值几乎相等,而且电阻值很小,说明该二极管已被击穿损坏,不能使用。如果两次测量的阻值都是无穷大,说明此二极管已经内部断开,不能使用。

早期的真空电子二极管;它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个

PN结两个引线端子,这种电子器件按照外加电压的方向,具备单向电流的传导性。一般来讲,

晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间

电荷层,构成自建电场。当外加电压等于零时,由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流

和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态,这也是常态下的二极管特性。
晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个

零件号接合的2个端子的器件,具有按照外加电压的方向,使电流流动或不流动的性质。晶体

二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有

自建电场。当不存在外加电压时,由于PN 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引

起的漂移电流相等而处于电平衡状态

二极管主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线。
⒈正向特性
当加在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),

管子不导通,处于“截止”状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电
二极管伏安特性曲线
二极管伏安特性曲线
压再稍微,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为

0.5-0.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。
⒉反向特性
二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变

,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线Ⅱ段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅

管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,

锗管的稳定性比硅管差。
⒊击穿特性
当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧,这种现象称为反向击穿。这时的反向电压

称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1

伏到几百伏,甚达数千伏。
⒋频率特性
由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电

性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。

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